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TMC-MOS
TMG160N06HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160N06HP

极性:N=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM3205B-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM3205B

极性:N=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG50N06NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG50N06NF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM05N06MSI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N06MSI

极性:N=60V

封装:SOT-223-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM003EN06I3-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM003EN06I3

极性:N=60V

封装:SOT-323

工艺:

VDS:60

ESD:Y

TMC-MOS
TM003EN05I3-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM003EN05I3

极性:N=50V

封装:SOT-323

工艺:

VDS:50

ESD:N

TMC-MOS
TM10N04S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N04S

极性:N=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM008EN03KF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM008EN03KF

极性:N=30V

封装:PDFN1006-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TMG70N03NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG70N03NF

极性:N=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM01EN02I5-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM01EN02I5

极性:N=20V

封装:SOT-523

工艺:

VDS:20

ESD:Y

TMC-MOS
TMG80N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N06HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N06HP

极性:P=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM15P10P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P10P

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM120N03ADF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120N03ADF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM120N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM25N03S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM25N03S

极性:N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM35H06NF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM35H06NF

极性:N+N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM50N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM05P10S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05P10S

极性:P=100V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM04P06MI6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04P06MI6

极性:P=60V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM16P02BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM16P02BF6

极性:P=20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM07P018I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07P018I

极性:P=18V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TMG20P06NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG20P06NF

极性:P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM20H03DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20H03DF

极性:N+N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM03P03I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03P03I

极性:P=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TMG30J03DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG30J03DF

极性:N+N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:

TMC-MOS
TM07G02MI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07G02MI6

极性:N+P=20V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM20N03S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N03S

极性:N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM20G06GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20G06GD

极性:N+P=60V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N60/P-60

ESD:N

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