TM05P10S

品牌： 台懋TMC-MOS

型号： TM05P10S

极性： P=100V

封装： SOP-8L

工艺： Trench

VDS(V)： -100

VGS： ±20

ESD： N

VGS(th)： -2.0

RDS(on)-10V： 254

RDS(on)-4.5V： 271

RDS(on)-2.5V： --------

RDS(on)-1.8V： -

Ciss： 1199

ID (A)： -5.0

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TM05P10S是一款中压P沟道场效应晶体管，采用SOP-8L封装，Trench工艺，Vds-漏源极击穿电压：-100V，Id-连续漏极电流：-5A，最小工作温度-55°C最大工作温度175°C，Ciss输入电容为1199。该型号产品具有超低内阻和较低的栅极电容，很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于锂电池保护模块、转换开关、LED显示屏、LCD监视器、马达控制、逆变器、开关电源、笔记本电脑、手机等电器。