产品中心-台懋半导体MOSFET中低压MOS管

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TMC-MOS

TM40P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM40P04D

极性：P=40V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM30P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM30P04D

极性：P=40V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM20P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM20P04D

极性：P=40V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM100P04NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM100P04NF

极性：P=40V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM80P04NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM80P04NF

极性：P=40V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM40P04NFx-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM40P04NF

极性：P=40V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM40P04DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM40P04DF

极性：P=40V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM20P04S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM20P04S

极性：P=40V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM15P04S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM15P04S

极性：P=40V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM08P04S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM08P04S

极性：P=40V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM06P04MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM06P04MI

极性：P=40V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM05P04MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05P04MI

极性：P=40V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM05P04I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05P04I

极性：P=40V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM04P04I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM04P04I

极性：P=40V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-40

ESD：N

TMC-MOS

TM10V03S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM10V03S

极性：P+P=30V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM09V03S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM09V03S

极性：P+P=30V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM05V03S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05V03S

极性：P+P=30V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM150P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM150P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM100P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM100P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM80P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM80P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM60P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM60P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM55P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM55P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM50P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM50P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM30P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM30P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM20P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM20P03D

极性：P=30V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM120P03NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM120P03NF

极性：P=30V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM90P03NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM90P03NF

极性：P=30V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM60P03NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM60P03NF

极性：P=30V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM50P03NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM50P03NF

极性：P=30V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM65P03DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM65P03DF

极性：P=30V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

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