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TMC-MOS
TM02P06I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02P06I

极性:P=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM002P06I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM002P06I

极性:P=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM150P04T-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150P04T

极性:P=40V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM80P04T-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80P04T

极性:P=40V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM110P04P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM110P04P

极性:P=40V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM100P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM80P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM60P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM50P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM40P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM30P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM20P04D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P04D

极性:P=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM100P04NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100P04NF

极性:P=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM80P04NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80P04NF

极性:P=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM40P04NFx-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40P04NF

极性:P=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM40P04DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40P04DF

极性:P=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM20P04S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P04S

极性:P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM15P04S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P04S

极性:P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM08P04S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P04S

极性:P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM06P04MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06P04MI

极性:P=40V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM05P04MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05P04MI

极性:P=40V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM05P04I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05P04I

极性:P=40V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM04P04I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04P04I

极性:P=40V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-40

ESD:N

TMC-MOS
TM30V03DF-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30V03DF

极性:P+P=30V

封装:PDFN3x3-8L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TM10V03S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10V03S

极性:P+P=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TM09V03S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09V03S

极性:P+P=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TM05V03S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05V03S

极性:P+P=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TM150P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150P03D

极性:P=30V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TM120P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120P03D

极性:P=30V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

TMC-MOS
TM100P03D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100P03D

极性:P=30V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-30

ESD:N

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