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TMC-MOS
TMG120N12NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N12NF

极性:N=120V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TMG90N12NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG90N12NF

极性:N=120V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TM150N12T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150N12T

极性:N=120V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TMG03N12I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG03N12I

极性:N=120V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TM08H10S-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08H10S

极性:N+N=100V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG300N10HMP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG300N10HMP

极性:N=100V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG260N10HT-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG260N10HT

极性:N=100V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG180N10HT-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG180N10HT

极性:N=100V

封装:T0-263-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG160N10HT-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160N10HT

极性:N=100V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG160N10HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160N10HP

极性:N=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N10HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N10HP

极性:N=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N10LP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N10LP

极性:N=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N10P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N10P

极性:N=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG60N10P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60N10P

极性:N=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM20N10P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N10P

极性:N=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM15N10Y-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N10Y

极性:N=100V

封装:TO-251-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM15N10YS-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N10YS

极性:N=100V

封装:TO-251S-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG70N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG70N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG60N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG50N10AD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG50N10AD

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG40N10HD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG40N10HD

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG40N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG40N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM40N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM30N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM25N10LD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM25N10LD

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM20N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM15N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG12N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG12N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM10N10D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N10D

极性:N=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

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