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TMC-MOS
台懋/TMC-MOS-TM15G06DF
TM15G06DF

极性:N+P=60V

封装:DFN3*3-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N+P

TMC-MOS
高压MOS-TMP20N65F
TMP20N65F

极性:N=650V

封装:TO-220F

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
高压MOS管TMF501DI
TMF501DI

极性:N=600V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:600

ESD:N

TMC-MOS
高压MOS管TMP02N65D
TMP02N65D

极性:N=650V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
高压MOS-TMP07N65F
TMP07N65F

极性:N=650V

封装:TO-220F

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
高压MOS管TMP05N50D
TMP05N50D

极性:N=500V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:500

ESD:N

TMC-MOS
TMP01N65MI
TMP01N65MI

极性:N=650V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
TM25G03GD
TM25G03GD

极性:N+P=30V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N30P-30

ESD:N

TMC-MOS
TMP28N65MP
TMP28N65MP

极性:N=650V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
TMP25N65MP
TMP25N65MP

极性:N=650V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
TMP12N65F
TMP12N65F

极性:N=650V

封装:TO-220F

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
TMP07N65D
TMP07N65D

极性:N=650V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
TMP04N65D
TMP04N65D

极性:N=650V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:650

ESD:N

TMC-MOS
TM06H03MI6-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06H03MI6

极性:N+N=30V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM07N06MSI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N06MSI

极性:N=60V

封装:SOT-223-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N06DF中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N06DF

极性:N=60V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM30P15D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P15D

极性:P=150V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TM20P15D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P15D

极性:P=150V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TMG30N20NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG30N20NF

极性:N=200

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM90P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM90P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG220N06HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG220N06HP

极性:N=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM220N06HP-中低压NP沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM220N06HP

极性:N=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM10P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TMG90N12D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG90N12D

极性:N=120V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TM008EP02I5-P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM008EP02I5

极性:P=20V

封装:SOT-523

工艺:

VDS:-20

ESD:Y

TMC-MOS
TM008EG02EFC-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM008EG02EFC

极性:N+P=20V

封装:SOT-563

工艺:

VDS:±20

ESD:Y

TMC-MOS
TM30G04GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30G04GD

极性:N+P=40V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM25G03DF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM25G03DF

极性:N+P=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM06G03S-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06G03S

极性:N+P=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM02B02MI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02B02MI6

极性:N+P=20V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

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