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TMC-MOS
TM18P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM18P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM15P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM16P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM16P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM08P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N25MP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N25MP

极性:N=250V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:250

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N20T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N20T

极性:N=200V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM100N20HT-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N20HT

极性:N=200V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N20MP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N20MP

极性:N=200V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N20HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N20HP

极性:N=200V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM100N20HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N20HP

极性:N=200V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM09N20D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09N20D

极性:N=200V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM05N20D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N20D

极性:N=200V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM03N20SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03N20SI

极性:N=200V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM04N20MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N20MI

极性:N=200V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TMG150N15T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150N15T

极性:N=150V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N15T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N15T

极性:N=150V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG160N15P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160N15P

极性:N=150V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N15P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N15P

极性:N=150V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG30N15D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG30N15D

极性:N=150V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TM12N15D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM12N15D

极性:N=150V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TM10N15D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N15D

极性:N=150V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N15NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N15NF

极性:N=150V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG50N15NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG50N15NF

极性:N=150V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG15N15DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG15N15DF

极性:N=150V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TM04N15MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N15MI

极性:N=150V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:150

ESD:N

TMC-MOS
TMG02N13I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG02N13I

极性:N=130V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:130

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N12HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N12HP

极性:N=120V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TM150N12P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150N12P

极性:N=120V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TMG12N12LD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG12N12LD

极性:N=120V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:120

ESD:N

TMC-MOS
TMG12N12D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG12N12D

极性:N=120V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:120

ESD:N

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