TM04P06MI6

品牌： 台懋TMC-MOS

型号： TM04P06MI6

极性： P=60V

封装： SOT-23-6L

工艺： Trench

VDS(V)： -60

VGS： ±20

ESD： N

VGS(th)： -2.0

RDS(on)-10V： 82

RDS(on)-4.5V： 100

RDS(on)-2.5V： --------

RDS(on)-1.8V： -

Ciss： 930

ID (A)： 4.0

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TM04P06MI6是一款中压P沟道场效应晶体管，采用SOT-23-6L封装，Trench工艺，Vds-漏源极击穿电压：-60V，Id-连续漏极电流：-4A，最小工作温度-55°C最大工作温度175°C，Ciss输入电容为930。该型号产品具有超低内阻和较低的栅极电容，很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于锂电池保护模块、转换开关、LED显示屏、LCD监视器、马达控制、逆变器、开关电源、笔记本电脑、手机等电器。