TM35H06NF

品牌： 台懋TMC-MOS

型号： TM35H06NF

极性： N+N=60V

封装： PDFN5*6-8L

工艺： Trench

VDS(V)： 60

VGS： ±20

ESD： N

VGS(th)： 2.0

RDS(on)-10V： 16

RDS(on)-4.5V： 20

RDS(on)-2.5V： --------

RDS(on)-1.8V： -

Ciss： 1600

ID (A)： 35.0

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TM35H06NF是一款低压N+N沟道场效应晶体管，采用PDFN5*6-8L封装，Trench工艺，Vds-漏源极击穿电压：60V，Id-连续漏极电流：35A，最小工作温度-55°C最大工作温度150°C，Ciss输入电容为1600。该产品具有超低内阻和较低的栅极电容，很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于锂电池保护模块、转换开关、LED显示屏、LCD监视器、马达控制、逆变器、开关电源、笔记本电脑、手机等电器。