TM25N03S

品牌： 台懋TMC-MOS

型号： TM25N03S

极性： N=30V

封装： SOP-8L

工艺： Trench

VDS(V)： 30

VGS： ±20

ESD： N

VGS(th)： 1.2

RDS(on)-10V： 4

RDS(on)-4.5V： 5

RDS(on)-2.5V： --------

RDS(on)-1.8V： -

Ciss： 3100

ID (A)： 25A

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TM25N03S是一款低压N道场效应晶体管，采用SOP-8L封装，Trench工艺，Vds-漏源极击穿电压：30V，Id-连续漏极电流：25A，最小工作温度-55°C最大工作温度175°C，Ciss输入电容为3100该型号产品具有超低内阻和较低的栅极电容，很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于锂电池保护模块、转换开关、LED显示屏、LCD监视器、马达控制、逆变器、开关电源、笔记本电脑、手机等电器。