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TMC-MOS
TM15G02BF6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15G02BF6

极性:N+P=20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM08G02MI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08G02MI6

极性:N+P=20V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM04G02MI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04G02MI6

极性:N+P=20V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM01G02MI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM01G02MI6

极性:N+P=20V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM4606C-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4606C

极性:N+P=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM4606B-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4606B

极性:N+P=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM15P15D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P15D

极性:P=150V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TM30P15NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P15NF

极性:P=150V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TM03P15DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03P15DF

极性:P=150V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TM02P15S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02P15S

极性:P=150V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TM01P15MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM01P15MI

极性:P=150V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-150

ESD:N

TMC-MOS
TMG160P10HMP-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160P10HMP

极性:P=100V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TMG80P10HMP-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80P10HMP

极性:P=100V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TMG150P10HP-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150P10HP

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TMG120P10HP-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120P10HP

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TMG80P10P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80P10P

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM40P10P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40P10P

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM20P10P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P10P

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM12P10P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM12P10P

极性:P=100V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TMG80P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM25P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM25P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM20P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TMG15P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG15P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM15P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM10P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM10P10SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P10SI

极性:P=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM05P10SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05P10SI

极性:P=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM03P10MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03P10MI

极性:P=100V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM01P10I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM01P10I

极性:P=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM08V06S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08V06S

极性:P+P=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

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