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TMC-MOS
TMG60N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM150N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM120N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM100N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM80N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM50N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM80N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG70N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG70N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG65N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG65N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG60N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM60N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM40N04DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40N04DF

极性:N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM15N04BF6-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N04BF6

极性:N=40V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM15N04S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N04S

极性:N=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM08N04SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N04SI

极性:N=40V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM07N04MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N04MI

极性:N=40V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM05N04I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N04I

极性:N=40V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG45J03NF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG45J03NF

极性:N+N=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM60H03NF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60H03NF

极性:N+N=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TMG50H03DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG50H03DF

极性:N+N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM30H03DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30H03DF

极性:N+N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM25H03DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM25H03DF

极性:N+N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM10H03S-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10H03S

极性:N+N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM07H03S-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07H03S

极性:N+N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM05H03MI6-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05H03MI6

极性:N+N=30V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM100N03P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFE
TM100N03P

极性:N=30V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM100N03YS-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N03YS

极性:N=30V

封装:TO-251S-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM50N03YS-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N03YS

极性:N=30V

封装:TO-251S-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM150N03D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150N03D

极性:N=30V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

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