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TMC-MOS
TM003EN06I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM003EN06I

极性:N=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:60

ESD:Y

TMC-MOS
TM003N05I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM003N05I

极性:N=50V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:50

ESD:N

TMC-MOS
TM002N05I3-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM002N05I3

极性:N=50V

封装:SOT-323

工艺:

VDS:50

ESD:N

TMC-MOS
TM3040SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM3040SI

极性:N=44V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:44

ESD:N

TMC-MOS
TMG60J04NF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60J04NF

极性:N+N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG60H04NF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60H04NF

极性:N+N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG50H04DF
TMG50H04DF

极性:N+N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM20H04DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20H04DF

极性:N+N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM12H04DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM12H04DF

极性:N+N=40V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM10H04S-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10H04S

极性:N+N=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM160N04P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM160N04P

极性:N=40V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM120N04P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120N04P

极性:N=40V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM100N04P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N04P

极性:N=40V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM80N04P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80N04P

极性:N=40V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM120N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM100N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM100N04AD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N04AD

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM80N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM60N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM50N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM40N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM30N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TM20N04D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N04D

极性:N=40V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG260N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG260N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG230N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG230N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG230N04CNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG230N04CNF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L(CLIP)

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG150N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG140N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG140N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N04NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N04NF

极性:N=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:40

ESD:N

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