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TMC-MOS
TM60N06AD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60N06AD

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM50N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM50N06AD-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N06AD

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM30N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM20N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM15N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM10N06D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N06D

极性:N=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:60

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TMC-MOS
TMG200N06LNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG200N06LNF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

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TMC-MOS
TMG160N06NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160N06NF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

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TMC-MOS
TMG130N06HNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N06HNF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

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ESD:N

TMC-MOS
TMG130N06LNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N06LNF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N06LNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N06LNF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG90N06NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG90N06NF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N06NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N06NF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM50N06NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N06NF

极性:N=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:60

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TMC-MOS
TM35N06DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM35N06DF

极性:N=60V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:60

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TMC-MOS
TM30N06DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30N06DF

极性:N=60V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM18N06S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM18N06S

极性:N=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM15N06S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N06S

极性:N=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM06N06S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N06S

极性:N=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM20N06SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N06SI

极性:N=60V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM15N06SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N06SI

极性:N=60V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM10N06SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N06SI

极性:N=60V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM05N06MI6-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N06MI6

极性:N=60V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM05N06MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N06MI

极性:N=60V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM03N06MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03N06MI

极性:N=60V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM05N06I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N06I

极性:N=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM03N06I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03N06I

极性:N=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM02N06I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02N06I

极性:N=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:60

ESD:N

TMC-MOS
TM003N06I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM003N06I

极性:N=60V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:60

ESD:N

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