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TMC-MOS
TM07N03BF6-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N03BF6

极性:N=30V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM18N03S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM18N03S

极性:N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM15N03S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N03S

极性:N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM10N03SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N03SI

极性:N=30V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM08N03LSI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N03LSI

极性:N=30V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM08N03SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N03SI

极性:N=30V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM09N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM08N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM07N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM04N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03HMI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03HMI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03LMI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03LMI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03I

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM05N03I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N03I

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03HI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03HI

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM04N03I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N03I

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM100NL03NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100NL03NF

极性:N=25V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:25

ESD:N

TMC-MOS
TM80NL03NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80NL03NF

极性:N=25V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:25

ESD:N

TMC-MOS
TM70NL03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM70NL03DF

极性:N=25V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:25

ESD:N

TMC-MOS
TM35H02DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM35H02DF

极性:N+N=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:20

ESD:Y

TMC-MOS
TM30H02DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30H02DF

极性:N+N=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:20

ESD:Y

TMC-MOS
TM30EH02DF-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30EH02DF

极性:N+N=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:20

ESD:Y

TMC-MOS
TM08EH02TS-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08EH02TS

极性:N+N=20V

封装:TSSOP-8L

工艺:

VDS:20

ESD:Y

TMC-MOS
TM07H02TS-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07H02TS

极性:N+N=20V

封装:TSSOP-8L

工艺:

VDS:20

ESD:Y

TMC-MOS
TM10H02S-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10H02S

极性:N+N=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:20

ESD:N

TMC-MOS
TM08H02S-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08H02S

极性:N+N=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:20

ESD:N

TMC-MOS
TM07H02MI6-中低压N+N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07H02MI6

极性:N+N=20V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:20

ESD:N

TMC-MOS
TM150N02D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM150N02D

极性:N=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:20

ESD:N

TMC-MOS
TM120N02D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120N02D

极性:N=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:20

ESD:N

TMC-MOS
TM100N02D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N02D

极性:N=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:20

ESD:N

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