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TMG60N04DF

品牌: 台懋TMC-MOS

型号: TMG60N04DF

极性: N=40V

封装: PDFN3*3-8L

工艺: SGT

VDS(V): 40

VGS: ±20

ESD: N

VGS(th): 1.6

RDS(on)-10V: 6.9

RDS(on)-4.5V: 8.8

RDS(on)-2.5V: --------

RDS(on)-1.8V: -

Ciss: 690

ID (A): 60.0

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TMG60N04DF是一款低压N沟道场效应晶体管,采用PDFN3*3-8L封装,SGT工艺,该产品具有超低内阻和较低的栅极电容,很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于锂电池保护模块、转换开关、LED显示屏、LCD监视器、马达控制、逆变器、开关电源、笔记本电脑、手机等电器。

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