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TMC-MOS
TM50N03NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N03NF

极性:N=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TMG150N03CDF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150N03CDF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L(CLIP)

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TMG70N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG70N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM100N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM80N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM60N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM50N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM30N03ADF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30N03ADF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM20N03DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20N03DF

极性:N=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM12N03BF6-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM12N03BF6

极性:N=30V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM07N03BF6-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N03BF6

极性:N=30V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM18N03S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM18N03S

极性:N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM15N03S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N03S

极性:N=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM10N03SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N03SI

极性:N=30V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM08N03LSI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N03LSI

极性:N=30V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM08N03SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N03SI

极性:N=30V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM09N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM08N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM07N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM04N03MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N03MI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03HMI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03HMI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03LMI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03LMI

极性:N=30V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03I

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM05N03I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N03I

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM06N03HI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N03HI

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM04N03I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N03I

极性:N=30V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:30

ESD:N

TMC-MOS
TM100NL03NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100NL03NF

极性:N=25V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:25

ESD:N

TMC-MOS
TM80NL03NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM80NL03NF

极性:N=25V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:25

ESD:N

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