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TMC-MOS
TM60PL03DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60PL03DF

极性:P=25V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-25

ESD:N

TMC-MOS
TM10V02S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10V02S

极性:P+P=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM06V02S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06V02S

极性:P+P=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM04V02S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04V02S

极性:P+P=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM20P02S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P02S

极性:P=20V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM70P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM70P02D

极性:P=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM60P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60P02D

极性:P=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM50P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50P02D

极性:P=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM40P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM40P02D

极性:P=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM30P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P02D

极性:P=20V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM120P02NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120P02NF

极性:P=20V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM70P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM70P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM60P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM55P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM55P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM30P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM30P02BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P02BF6

极性:P=20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM15P02SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P02SI

极性:P=20V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM10P02SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P02SI

极性:P=20V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM09P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM07P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM06P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM08P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM07P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM06P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM04P02AI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04P02AI

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM03P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM02P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM13P018MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM13P018MI

极性:P<20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM08P018MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P018MI

极性:P<20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM18P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM18P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

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