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TMC-MOS
TM15G06NF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15G06NF

极性:N+P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:N60/P-60

ESD:N

TMC-MOS
TM4612S-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4612S

极性:N+P=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N60/P-60

ESD:N

TMC-MOS
TM06G06S-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06G06S

极性:N+P=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N60/P-60

ESD:N

TMC-MOS
TM05G06S-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05G06S

极性:N+P=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N60/P-60

ESD:N

TMC-MOS
TM60G04GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60G04GD

极性:N+P=40V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM50G04GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50G04GD

极性:N+P=40V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM25G04GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM25G04GD

极性:N+P=40V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM20G04NF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20G04NF

极性:N+P=40V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM20G04DF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20G04DF

极性:N+P=40V

封装:PDFN3x3-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM10G04DF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10G04DF

极性:N+P=40V

封装:PDFN3x3-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4614CMI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4614CMI6

极性:N+P=40V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4618B-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4618B

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4618A-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4618A

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4614C-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4614C

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM07G04S-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07G04S

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4614B-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4614B

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4614A-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4614A

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM4614-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4614

极性:N+P=40V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N40/P-40

ESD:N

TMC-MOS
TM30G03GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30G03GD

极性:N+P=30V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM20G03GD-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20G03GD

极性:N+P=30V

封装:TO-252-4L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM50G03NF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50G03NF

极性:N+P=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM30G03NF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30G03NF

极性:N+P=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM20G03NF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20G03NF

极性:N+P=30V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM30G03DF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30G03DF

极性:N+P=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM10G03DF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10G03DF

极性:N+P=30V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM4606A-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4606A

极性:N+P=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM4616-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM4616

极性:N+P=30V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM04G03MI6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04G03MI6

极性:N+P=30V

封装:SOT-23-6L

工艺:

VDS:N30/P-30

ESD:N

TMC-MOS
TM15G02DF-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15G02DF

极性:N+P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

TMC-MOS
TM15G02BF6-中低压N+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15G02BF6

极性:N+P=20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:N20/P-20

ESD:N

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