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TMC-MOS
TMG100N10HNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N10HNF

极性:N=100V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N10LNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N10LNF

极性:N=100V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG80N10NF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80N10NF

极性:N=100V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG60N10LNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60N10LNF

极性:N=100V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG50N10LNF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG50N10LNF

极性:N=100V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM06N10DF-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06N10DF

极性:N=100V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG12N10S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG12N10S

极性:N=100V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG10N10S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG10N10S

极性:N=100V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG08N10S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG08N10S

极性:N=100V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM10N10S-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N10S

极性:N=100V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM10N10MSI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N10MSI

极性:N=100V

封装:SOT-223-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM07N10MSI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07N10MSI

极性:N=100V

封装:SOT-223-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM15N10SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15N10SI

极性:N=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM10N10SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10N10SI

极性:N=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG08N10SI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG08N10SI

极性:N=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG05N10MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG05N10MI

极性:N=100V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM05N10MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N10MI

极性:N=100V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM03N10MI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03N10MI

极性:N=100V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG05N10I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG05N10I

极性:N=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG04N10I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG04N10I

极性:N=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM04N10I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04N10I

极性:N=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM03N10AI-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03N10AI

极性:N=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM02N10I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02N10I

极性:N=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TM002N10I-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM002N10I

极性:N=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:100

ESD:N

TMC-MOS
TMG150N085T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150N085T

极性:N=85V

封装:T0-263-3L

工艺:

VDS:85

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N085T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N085T

极性:N=85V

封装:T0-263-3L

工艺:

VDS:85

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N085F-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N085F

极性:N=85V

封装:TO-220F

工艺:

VDS:85

ESD:N

TMC-MOS
TMG150N085P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150N085P

极性:N=85V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:85

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N085P-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N085P

极性:N=85V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:85

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N085D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N085D

极性:N=85V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:85

ESD:N

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