TM08G02MI6

品牌： 台懋TMC-MOS

型号： TM08G02MI6

极性： N+P=20V

封装： SOT-23-6L

工艺： Trench

VDS(V)： N20/P-20

VGS： ±12

ESD： N

VGS(th)： N0.75/P-0.65

RDS(on)-10V： -

RDS(on)-4.5V： N17/P30

RDS(on)-2.5V： N21/P38

RDS(on)-1.8V： -

Ciss： N310/P830

ID (A)： N8/P-7.5

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