国产MOS就选了他(TMC-1)--台懋半导体叙述MOSFET
你必须知道的 MOS 管参数：
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 中文名称为金属氧化物半导体场效应晶体管，
俗称MOS 管。它是一种场效应晶体管（FET）, 在 电力领域有着非常重要的作用 ，可以说是一种非重要的分立器件 。
MOSFET 与双 极 结 型 晶 体 管（ BJT） 构 成 了 现代 电 子 电 路 中的 两 大 核 心 元 器件 家 族 。MOSFET是一种电压
控制的全控型器件 ，通过控制栅极电压（Vgs）来调控源极和漏极之间的电流，无须直接控制电流本身，这个特点使得
MOSFET 在很多终端应用中展现出卓越的性能。
➡ 额定电压：
VDSS:漏极（D）与源极（S）之间所能施加的最大电压值。
VGSS：栅极（G）与源极（S）之间所能施加的最大电压值。
➡ 额定电流：
ID(DC)：漏极允许通过的最大直流电流值,此值受到导通阻抗、封装和内 部连线等的制约 TC=25℃
（假定封装紧贴无限大散热板）。
ID（Pulse）：漏极允许通过的最大脉冲电流值此值还受到脉冲宽度和占 空比等的制约。
➡ 额定功耗：
PT：芯片所能承受的最大功耗。
TC=25℃的条件---紧接无限大放热板，封装背面温度为 25℃。
TA=25℃的条件---直立安装不接散热板环境温度为 25℃。
➡ 额定温度：
Tch：MOSFET 的沟道的上限温度。
Tstg：MOSFET 器件本身或者使用了 MOSFET 的产品。
➡ 抗雪崩能力保证：
MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标. 如果电压超过漏源极限电 压 将导致器件处在雪崩 。
例如： 对马达、线圈等电感性
负载进行开关动作时，关断的瞬间会有感生电动势产生。
EAS :单次脉冲雪崩击穿能量 。这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受 的 最大雪崩击穿能量。
IAR :雪崩电流。
EAR :重复雪崩击穿能量。
➡ 热阻：
表示热传导的难易程度 。热阻值越小，散热性能越好 。如果使用手册上 没有注明热阻值时，可根据额定
功耗 PT 及 Tch 将其算出。
➡ 漏电流：
IDSS：漏极与源极之间的漏电流。VGS=0 时，D 与 S 之间加VDSS。一般在微 安级。
IGSS：栅极与源极之间的漏电流。VDS=O 时，G 与 S 之间加VGSS。由于 MOSFET 输入阻抗很大，
IGSS 一般在纳安级。
➡ 栅极阈值电压VGS（off）或VGS（th）：
MOSFET 的VDS= 10V ，ID=250uA 时的栅极电压VGS
漏极/源极间的导通阻抗RDs（on）：
MOSFET 处于导通状态下的阻抗 。导通阻抗越大 ，则开启状态时的损耗 越大。因此，
要尽量减小 MOSFET 的导通阻抗。
功耗与电流的平方成比例。越是大电流的产品，就越是需要具有低的导通阻抗。
➡ 开关时间：
Td（on）：导通延迟时间，是栅源电压Vgs 上升到 10%~漏源电压 Vds 下降 到 90%之间的时间。
Tr：导通上升时间，是漏源电压 Vds 从 90%下降到 10%的时间。
Td（off）：关断延迟时间，是栅源电压Vgs 下降到 90%~漏源电压Vds 上升到 10%之间的时间。
Tf：关断下降时间，是漏源电压 Vds 从 10%上升到 90%的时间。
结合以上MOSFET 的关键参数 ，也就是我们工程师在根据实际项目做选型 的时候所需要关注的内容。
那么接下来让我们看一下续篇 MOS 管具体应用电路。
续篇：国产MOS 就选了他(TMC-2)--直流无刷马达控制器的应用